近日，三星在德国慕尼黑举办的2023年欧洲三星代工论坛（SFF）上宣布并介绍了其汽车工艺解决方案。
三星表示，它正在推动下一代解决方案的创新，以构建扩展的产品组合，以满足汽车客户不断增长的需求，特别是在电动汽车时代成为现实的情况下。三星目前正在加大准备投入，为客户提供功率半导体、微控制器、先进自动驾驶人工智能芯片等多种解决方案。
自2019 年开发并大规模销售业界首款28nm FD-SOI1 型eMRAM 以来，三星一直在开发基于AEC-Q100 1 级FinFET 晶体管技术的14nm 工艺。根据三星公布的路线图，计划于2024年量产14nm汽车eMRAM，然后分别于2026年和2027年量产8nm和5nm汽车eMRAM。与14nm产品相比，8nm有潜力将密度提升33%，速度提升33%。此外，三星将于2026年完成汽车用2nm工艺的量产准备。
同时，三星还扩展了功率半导体生产中常用的8英寸BCD工艺组合，以满足客户需求。三星计划到2025年将目前的130mm汽车BCD工艺升级至90nm。与130nm工艺相比，90nm BCD工艺预计可将芯片面积缩小20%。此外，还将采用深沟槽隔离（DTI）技术来缩短每个晶体管之间的距离，最大限度地发挥功率半导体的性能。
