近日，ASML交付了第三代极紫外（EUV）光刻工具。新设备型号为Twinscan NXE:3800E，配备0.33数值孔径镜头。与之前的Twinscan NXE:3600D相比，性能进一步提升，可以支持未来几年3nm和2nm芯片的制造。
在ASML 看来，Twinscan NXE:3800E 代表了低数值孔径EUV 光刻技术在性能（每小时处理的晶圆数量）和精度方面的又一次飞跃。新型光刻设备可实现每小时195片晶圆的处理速度，比Twinscan NXE:3600D的160片晶圆提高约22%，未来可能会增加至220片晶圆。此外，新工具的晶圆对准精度低于1.1 纳米。
即使用于4/5nm芯片的生产，Twinscan NXE:3800E也能提高效率，让制造商提高芯片生产的经济性，实现更高效、更具成本效益的芯片生产。更重要的是，Twinscan NXE:3800E对于制造2nm芯片以及后续需要二次曝光的制造技术有更好的效果。精度的提升将有利于3nm以下的工艺节点。
Twinscan NXE:3800E光刻机的价格并不便宜。该机器的复杂性和功能的代价是巨大的成本，每台约1.8 亿美元。但与新一代High-NA EUV光刻机的报价相比，显然还是要低很多。此前有消息称，业界首台采用High-NA EUV光刻技术的TWINSCAN EXE:5200光刻机售价达到3.8亿美元。
ASML将继续推动Low-NA EUV光刻设备的发展，接下来将带来预计于2026年发布的新款Twinscan NXE:4000F，这凸显了ASML对EUV制造技术的承诺。
